一、大基金二期资金规模显著提升
据工商信息显示，国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司于2019年10月22日注册成立，与大基金一期相比，二期在资金规模和来源渠道方面有明显提升。大基金一期注册资本987.2亿元，投资总规模达1387亿元，二期注册资本达2041.5亿元，较一期有显著提升;且参照大基金一期撬动5145亿元的社会融资，共计带来约6500亿元资金进入集成电路行业，我们预计大基金二期将同样具备显著撬动作用，进一步提升集成电路产业融资和发展效率。
二、强化半导体设备国产替代逻辑
强化半导体设备国产替代逻辑，二期预计加大半导体设备、材料和ic设计投资。大基金一期投资范围涵盖集成电路产业上、下游各个环节，重点在ic制造环节，其中ic制造占67%，设计占17%，封测占10%，装备材料类占6%，目前中芯国际14nm先进制程产品和长江存储64层3dnand均已实现量产，ic制造投资战果显著。根据长江存储招标数据显示，中微公司、北方华创、精测电子等公司设备已经在刻蚀、薄膜沉积、清洗、检测等领域实现国产替代，上述领域约占半导体设备投资额的46%。大基金管理机构华芯投资表示，大基金二期将在稳固一期投资企业基础上弥补一期空白，强化薄膜沉积、刻蚀、测试和清洗设备的国产替代进度，加快光刻机等核心设备布局，同时加强半导体材料和ic设计等附加值较高环节的投资。
国产设备强化“中国芯”实力，建议关注半导体刻蚀、薄膜沉积、检测和清洗设备公司。根据大基金二期投资方向，我们预计半导体设备公司在薄膜沉积、刻蚀、检测和清洗等领域国产替代的脚步将进一步加快。光刻、薄膜沉积、刻蚀和离子注入是先进制程的关键环节，在半导体设备投资中占比分别约为24%，18%，10%，2.5%，北方华创、中微公司、沈阳拓荆在长江存储设备招标中占比逐步提升。清洗、检测和封装非先进制程领域设备投资占比分别约为8%，18%和10%，国内外差距相比光刻、刻蚀、离子注入等关键领域较小，国内公司已实现相关设备的国产替代。此外，大基金二期还将加大对集成电路设计业和半导体材料的支持，建议关注国产ic设计板块、半导体材料板块。
三、投资建议
随着国家集成电路产业投资基金二期的正式成立，国内半导体产业链有望迎来新一轮的产业支持。薄膜沉积设备建议关注北方华创：公司已在长江存储招标中实现国产替代;刻蚀设备建议关注北方华创、中微公司：二者具备全球领先的刻蚀技术，是半导体设备国产化中坚力量;离子注入设备建议关注万业企业：产品已达到28nm以内先进制程标准;检测设备建议关注精测电子、长川科技、华峰测控;清洗设备建议关注至纯科技、芯源微。
风险提示。大基金二期投资进度不及预期、国内集成电路企业研发不及预期。
(关键字：机械 行业)