6月18日消息，美国雷神公司因成功完成国防产品法案第三类（DPATitleIII）的氮化镓（GaN）生产改进项目，获得美国国防部长办公室（OSD）的嘉奖，成为政府和雷神公司在GaN射频电路技术领域超过10年投资所获成就的顶峰。
雷神公司集成国防系统先进技术商业部副总裁乔·比昂迪（Joe Biondi）说“雷神已走在实现先进GaN制造技术的前列。此次嘉奖反映出我们与客户间的密切合作，以及所获成绩。GaN在性能和可靠性方面所具有的巨大优势为我们的客户提供了更优的性能和更强的经济可承受性。”
雷神公司还验证了其GaN技术的可靠性已超出军事系统应用的要求，达到制造成熟度等级（MRL）“8”的要求，成为国防工业中GaN技术所获的最高等级。MRL是OSD和世界许多重要公司用于衡量制造成熟度的标准。
GaN技术通过增加雷达的范围、灵敏度和搜索能力，显著拓展战斗机在战场上的活动范围。通过第三类项目，氮化镓微波单片集成电路（MMIC）成品率提高3倍以上，成本降低75％。MMIC是指工作在毫米波（300MHz～300GHz）的集成电路器件，通常起微波混频、功率放大、低噪声放大和高频率开关等作用。
GaN技术还有助于减小系统天线，从而在不牺牲性能的情况下提供灵活性、改进传输性、减少采购和生命周期管理成本。
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