相变材料在光学媒体和固态存储器等数据存储领域的应用的确备受青睐，但是使用传统的诸如锗-锑-碲（GST）等相变材料来完成非晶态和晶态阶段的相位转换需要大量的能量。
新加坡A*STAR数据存储研究所的SongWendong博士和他的同事们开发出新型相变材料，主要使用铁和碲元素，在此之前该材料的相变特性是不为所知的。
首先，他们通过激光分子束外延（MBE）来将铁-碲材料沉积至硅衬底上达到50毫微米的厚度。然后分别通过X射线光电子能谱（XPS）和X射线衍射来界定样本的成分和晶体结构特性。
为了测试材料的相变特性，研究员使用了一个脉冲激光光束来材料从测试非晶态到晶态转换时的反射率变化和所需的温度。
铁-碲材料的结晶温度仅为180?C，从而减少了能量需要。另外结晶温度还可通过改变铁和碲的比例得到调节。
更有趣的是，材料还展示了独特的光学特性，在非晶状态的反射率要高于晶态时的反射率。而在诸如锗-锑-碲（GST）等传统相变材料里，晶态时的光学反射率则要高一些。
宋称：“我们发现铁-碲材料不仅展示了非晶态光学特性，而且还具有非晶态电力特性，在非晶状态的电阻率要低于晶态时的电阻率。
这些颠倒的属性或许在下一代的数据存储材料的研究中有一定用处。
宋博士说：“因该材料展示了非晶态光电特性，那么其在自旋电子和半导体设备中也将有一定的应用。”
(关键字：碲 存储器 锗 锑)